檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "Pao-Hung Lin".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合，以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示，銀僅在氧氣分…
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜， 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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近幾年生物醫學科技的發展蓬勃，非侵入式成像技術的進步對於醫療診斷及後續治療給予了不小的貢獻。掃頻式光學同調斷層掃描（Swept-Source Optical coherence tomography…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳及氧化鎳摻銅薄膜，並且探討氧氣流量比對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在300C下沉積氧化鎳薄膜，當Opf = 0.5時有NiO (200)…